Объем накопителя: 512 Gb. Форм-фактор: 2.5". TBW: 200Tb. Максимальная скорость чтения: 550 Мб/с. Максимальная скорость записи: 450 Мб/с. Время наработки на отказ: 2 000 000 ч.. Тип памяти: NAND 3D TLC. Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 17500. Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 49500
